QFN半導体パッケージングおよび高耐熱接合の接着物理化学メカニズム

リードフレームベースの半導体パッケージであるQFN（Quad Flat No-lead）などは、金属リードフレームとエポキシモールディングコンパウンド、シリコンダイ間の異種界面接着信頼性が鍵となります。
1) 応力緩和およびCTEミスマッチ（熱膨張係数差）の緩衝：はんだリフロー工程（ピーク260°C）および加熱工程を繰り返す間、異種材料間の熱膨張係数（CTE）ミスマッチが発生し、パッケージ反り（ワープ）およびクラック応力が発生します。
2) ハイブリッド高分子の高温衝撃緩衝：APEONの APC-4000（PUIA、PI-PUハイブリッド）ラインは、イミドセグメントの高耐熱骨格設計（Td5 350°C+目標）を基盤に、ピーク260°C（数秒オーダーの短時間ピーク）の鉛フリーリフロー熱衝撃を繰り返し受ける工程の耐熱信頼性をリフローシミュレーター評価で検証しています。同時に、鎖内部の伸縮性ウレタンドメインが加熱冷却収縮時の界面熱応力を高速緩和（Stress Relaxation）し、ボイド（Void）がなく界面剥離（Delamination）を大幅に抑制する超薄膜積層信頼性を 構築します。