QFN半導体パッケージングおよび高温耐熱接合の接着物理化学メカニズム

リードフレームベースの半導体パッケージであるQFN（Quad Flat No-lead）などは、金属リードフレームとエポキシモールディングコンパウンド、シリコンダイ間の異種界面接着信頼性が核心です。
1) 応力緩和およびCTEマッチング（熱膨張係数整合）：はんだリフロー工程（ピーク260°C）および加熱工程を繰り返す間、異種材料間の熱膨張係数（CTE）ミスマッチが発生し、パッケージ反り（ワープ）およびクラック応力が発生します。
2) ハイブリッド高分子の高温衝撃緩衝：APEONの APC-4000（PAI/PUIAハイブリッド）ラインは、熱分解温度（Td）350°C以上のイミドセグメントが骨格安定性を担保し、ピーク260°Cの鉛フリーリフロー熱衝撃に繰り返し耐える工程信頼性を満たします。同時に、鎖内部の伸縮性ウレタンドメインが加熱冷却収縮時の界面熱応力を高速緩和（Stress Relaxation）し、ボイド（Void）がなく界面剥離（Delamination）を大幅に抑制する超薄膜積層信頼性を 構築します。